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Datasheet下载- 型号： STL18N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STL18N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL18N65M5价格参考￥7.38-￥18.16。STMicroelectronicsSTL18N65M5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 650V 15A（Tc） 57W（Tc） PowerFlat™（5x6）。您可以下载STL18N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL18N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL18N65M5是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于多种电力电子设备中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，适用于需要高效能和可靠性的应用场景。 主要应用场景： 1. 电源管理： - 开关电源（SMPS）：STL18N65M5可用于设计高效的开关模式电源，如AC-DC适配器、计算机电源等。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提高电源转换效率。 - 直流-直流转换器（DC-DC Converter）：在降压或升压转换器中，STL18N65M5能够实现快速开关和低损耗，确保稳定的输出电压。 2. 电机驱动： - 电动工具：用于驱动电动工具中的无刷直流电机（BLDC），提供高效的电流控制和保护功能。 - 工业自动化：在工厂自动化设备中，如伺服驱动器、步进电机控制器等，STL18N65M5可以实现精确的电机控制和高效的能量传输。 3. 电池管理系统（BMS）： - 在电动汽车（EV）和储能系统中，STL18N65M5可用于电池组的充放电控制，确保电池的安全性和长寿命。其低导通电阻有助于减少发热，提高系统的整体效率。 4. 逆变器： - 太阳能逆变器：在光伏系统中，STL18N65M5可用于将直流电转换为交流电，以供家庭或电网使用。其高开关频率和低损耗特性使得逆变器更加高效。 - 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，STL18N65M5可以用于切换主电源和备用电池之间的供电路径，确保在断电时快速响应并提供稳定的电力输出。 5. 消费电子产品： - 笔记本电脑和其他便携式设备：用于充电电路和电源管理模块，确保设备在各种工作条件下都能获得稳定的电源供应。 总之，STL18N65M5凭借其优异的电气特性和可靠性，成为众多电力电子应用的理想选择，特别是在对效率和性能要求较高的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V POWERFLAT5X6MOSFET N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL18N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL18N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 57 W |
| Pd-功率耗散 | 57 W |
| Qg-GateCharge | 31 nC |
| Qg-栅极电荷 | 31 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 240 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 240 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1240pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 240 毫欧 @ 7.5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（5x6） |
| 其它名称 | 497-13967-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 9 ns |
| 功率-最大值 | 57W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 240 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PowerFLAT-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 650 V |
| 漏极连续电流 | 15 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Tc） |
| 系列 | STL18N65M5 |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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