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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STL130N8F7由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL130N8F7价格参考。STMicroelectronicsSTL130N8F7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 80V 130A(Tc) 135W(Tc) PowerFlat™(5x6)。您可以下载STL130N8F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL130N8F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 80V POWERFLAT5X6MOSFET N-CH 80V 4 mOhm 24A STripFET VII |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
Id-连续漏极电流 | 24 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL130N8F7DeepGATE™, STripFET™ VII |
数据手册 | |
产品型号 | STL130N8F7 |
Pd-PowerDissipation | 5 W |
Pd-功率耗散 | 5 W |
Qg-GateCharge | 110 nC |
Qg-栅极电荷 | 110 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.6 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.6 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6340pF @ 40V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 96nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.6 毫欧 @ 13A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerFlat™(5x6) |
其它名称 | 497-13965-6 |
功率-最大值 | 135W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
封装/箱体 | PowerFLAT-8 5x6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 130A (Tc) |
系列 | STL130N8F7 |
配置 | Dual Dual Drain |