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  • 型号: STI57N65M5
  • 制造商: STMicroelectronics
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STI57N65M5产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STI57N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STI57N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTI57N65M5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 42A(Tc) 250W(Tc) I2PAK。您可以下载STI57N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STI57N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STI57N65M5是一款N沟道功率MOSFET,其主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):  
   STI57N65M5适用于各种开关电源设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器和反激式电源。其650V的耐压能力使其能够承受高压输入,而低导通电阻(Rds(on))则有助于提高效率并降低发热。

2. 电机驱动:  
   该MOSFET可用于工业和消费类电机驱动应用,例如风扇、泵、压缩机等。其高电压和大电流处理能力确保了在电机启动和运行时的稳定性。

3. 逆变器:  
   在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中,STI57N65M5可以作为主开关器件,用于将直流电转换为交流电。其快速开关特性和低损耗特性非常适合高频逆变器设计。

4. 不间断电源(UPS):  
   此MOSFET可应用于UPS系统的功率转换模块中,提供高效的能量传输和可靠的保护功能。

5. 电动车充电器:  
   在电动车充电桩或车载充电器中,STI57N65M5可以用作主开关管,支持高电压输入和高效能量转换。

6. 负载开关和保护电路:  
   由于其坚固的设计和良好的热性能,该器件也适用于过流保护、短路保护以及负载切换等场景。

总之,STI57N65M5凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于需要高电压、大电流及高效能转换的各种电力电子设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK-3MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

26.5 A

Id-连续漏极电流

26.5 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STI57N65M5MDmesh™ V

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STI57N65M5

Pd-PowerDissipation

250 W

Pd-功率耗散

250 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

63 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

63 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4200pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

98nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

63 毫欧 @ 21A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I2PAK

其它名称

497-13107-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253557?referrer=70071840

功率-最大值

250W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

封装/箱体

I2PAK-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

42A (Tc)

系列

STI57N65M5

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