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STH310N10F7-2产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STH310N10F7-2由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STH310N10F7-2价格参考。STMicroelectronicsSTH310N10F7-2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 315W(Tc) H2Pak-2。您可以下载STH310N10F7-2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STH310N10F7-2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STH310N10F7-2是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体为N沟道增强型MOSFET。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种电力电子应用场景。 应用场景: 1. 电源管理: - 开关电源(SMPS):STH310N10F7-2可用于设计高效的开关电源,其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高转换效率。它适用于各种电压范围的DC-DC转换器,如降压、升压或反激式转换器。 - 电池管理系统(BMS):在电池管理系统中,该MOSFET可以用于控制电池充放电回路的开关,确保电池的安全运行,防止过充或过放。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机(BLDC)驱动:该MOSFET适用于驱动小型无刷直流电机,尤其是在需要高效能和快速响应的应用中,如无人机、电动工具等。 - 步进电机驱动:在步进电机控制系统中,STH310N10F7-2可以用作功率级元件,实现精确的速度和位置控制。 3. 工业自动化: - 可编程逻辑控制器(PLC):在工业自动化系统中,MOSFET常用于PLC的输出模块,作为开关元件来控制外部负载,如继电器、指示灯或传感器。 - 伺服控制系统:该MOSFET可用于伺服系统的功率级,提供高精度的电流控制,确保电机的平稳运行和快速响应。 4. 消费电子: - 笔记本电脑和智能手机充电器:在便携式设备的充电器中,STH310N10F7-2可以用于初级侧或次级侧的开关控制,以实现高效充电并减少发热。 - 音频放大器:在D类音频放大器中,该MOSFET可以用于开关输出级,提供高效能和低失真的音频信号放大。 5. 汽车电子: - 车身控制系统:在汽车电子系统中,如车窗升降、座椅调节等,STH310N10F7-2可以用作驱动电机或其他负载的开关元件。 - LED照明系统:在汽车LED照明系统中,该MOSFET可以用于调光控制和电流调节,确保LED灯的稳定工作。 总之,STH310N10F7-2凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于各类电力电子设备中,特别是在需要高效能和低功耗的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2MOSFET N-CH 100V 2.1mOhm 180A STripFET VI |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 180 A |
Id-连续漏极电流 | 180 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STH310N10F7-2DeepGATE™, STripFET™ VII |
数据手册 | |
产品型号 | STH310N10F7-2 |
Pd-PowerDissipation | 315 W |
Pd-功率耗散 | 315 W |
Qg-GateCharge | 180 nC |
Qg-栅极电荷 | 180 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.8 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.8 V |
上升时间 | 108 ns |
下降时间 | 40 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.8V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.5 毫欧 @ 60A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | H²PAK |
其它名称 | 497-13585-1 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF252382?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 148 ns |
功率-最大值 | 315W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | STMicroelectronics |
商标名 | STripFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | H2PAK-2 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/stp310n10f7/50140 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 180A (Tc) |
系列 | STH310N10F7-2 |
配置 | Single |