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  • 型号: STH270N4F3-6
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STH270N4F3-6由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STH270N4F3-6价格参考。STMicroelectronicsSTH270N4F3-6封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STH270N4F3-6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STH270N4F3-6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6MOSFET N-Ch 40V 1.40 mOhm STripFET III 180A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

180 A

Id-连续漏极电流

180 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STH270N4F3-6STripFET™ III

数据手册

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产品型号

STH270N4F3-6

Pd-PowerDissipation

300 W

Pd-功率耗散

300 W

Qg-GateCharge

110 nC

Qg-栅极电荷

110 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.4 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

1.4 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

180 ns

下降时间

45 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

150nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.7 毫欧 @ 80A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

H²PAK

其它名称

497-11218-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF223890?referrer=70071840

功率-最大值

300W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片)

封装/箱体

H2PAK-6

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

180A (Tc)

系列

STH270N4F3-6

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