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型号： STH180N10F3-2
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STH180N10F3-2产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STH180N10F3-2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STH180N10F3-2价格参考。STMicroelectronicsSTH180N10F3-2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 315W（Tc） H2Pak-2。您可以下载STH180N10F3-2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STH180N10F3-2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 100V 120A H2PAKMOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	120 A
Id-连续漏极电流	120 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STH180N10F3-2STripFET™ III
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STH180N10F3-2
Pd-PowerDissipation	315 W
Pd-功率耗散	315 W
Qg-GateCharge	114.6 nC
Qg-栅极电荷	114.6 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	4.5 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	4.5 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	4 V
上升时间	97.1 ns
下降时间	6.9 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	6665pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	114.6nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	4.5 毫欧 @ 60A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	H²PAK
其它名称	497-11216-1
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF250650?referrer=70071840
功率-最大值	315W
包装	剪切带（CT）
商标	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	4.5 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	H2PAK-2
晶体管极性	N-Channel
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	120 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	180A （Tc）
系列	STH180N10F3-2