Datasheet下载- 型号： STH110N10F7-2
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STH110N10F7-2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STH110N10F7-2价格参考。STMicroelectronicsSTH110N10F7-2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STH110N10F7-2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STH110N10F7-2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 100V 110A H2PAKMOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
| Id-连续漏极电流 | 110 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STH110N10F7-2DeepGATE™， STripFET™ VII |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STH110N10F7-2 |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Qg-GateCharge | 60 nC |
| Qg-栅极电荷 | 60 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5117pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 毫欧 @ 55A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | H²PAK |
| 其它名称 | 497-13549-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF255318?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 2-SMD |
| 封装/箱体 | H2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/stp310n10f7/50140 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 110A （Tc） |
| 系列 | STH110N10F7-2 |
| 配置 | Single |
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