【晶体管 - UGBT，MOSFET - 单_STGWT80H65DFB】封装/厂家_STGWT80H65DFB中文资料_价格

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型号： STGWT80H65DFB
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STGWT80H65DFB由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGWT80H65DFB价格参考。STMicroelectronicsSTGWT80H65DFB封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-3P。您可以下载STGWT80H65DFB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGWT80H65DFB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STGWT80H65DFB是一款用于高压应用的MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），具体为超结MOSFET（UGBT分类）。该型号具备高电压和低导通电阻特性，使其在多种电力电子设备中表现出色。以下是其主要应用场景：

1. 开关电源（SMPS）：
   - STGWT80H65DFB适用于各种类型的开关电源，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。它能够在高频率下高效工作，减少能量损耗，提高电源转换效率。
   
2. 电机驱动：
   - 在工业自动化和家电领域，该MOSFET可用于驱动各类电机，包括步进电机、无刷直流电机等。其快速开关特性和低导通电阻有助于实现精确控制和高效运行。

3. 逆变器：
   - 广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等设备中。该器件能够承受高电压波动，并提供稳定的电流输出，确保系统的可靠性和安全性。

4. 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）：
   - 该MOSFET可用于车载充电器、DC-DC转换器和牵引逆变器等关键组件中。其紧凑的设计和优异的电气性能使其成为汽车电子的理想选择。

5. LED照明驱动器：
   - 在大功率LED照明系统中，STGWT80H65DFB可以作为开关元件，帮助调节电流并保持亮度稳定。其低损耗特性有助于提高灯具的整体能效。

6. 家电产品：
   - 如空调、洗衣机等家用电器中的电源管理和电机控制系统也常使用此类MOSFET。它们不仅提升了产品的性能，还延长了使用寿命。

总之，STGWT80H65DFB凭借其卓越的电气参数和可靠性，广泛应用于需要高效功率转换和控制的各种领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
25°C时Td（开/关）值	84ns/280ns
产品目录	分立半导体产品半导体
Current-CollectorPulsed(Icm)	240A
描述	IGBT 650V 120A 469W TO3P-3LIGBT 晶体管 Trench gate H series 650V 80A HiSpd
产品分类	IGBT - 单路分离式半导体
GateCharge	414nC
IGBT类型	沟道和场截止
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGWT80H65DFB-
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STGWT80H65DFB
SwitchingEnergy	2.1mJ （开）， 1.5mJ （关）
TestCondition	400V， 80A， 10 欧姆， 15V
不同 Vge、Ic时的 Vce(on)	2V @ 15V， 80A
产品种类	IGBT 晶体管
供应商器件封装	TO-3P
其它名称	497-14234-5
功率-最大值	469W
功率耗散	469 W
包装	管件
反向恢复时间(trr)	85ns
商标	STMicroelectronics
在25C的连续集电极电流	120 A
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
封装/箱体	TO-3P
工厂包装数量	30
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
栅极—射极漏泄电流	250 nA
标准包装	30
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/650-v-igbt-hb-series-transistors/52308
电压-集射极击穿（最大值）	650V
电流-集电极(Ic)（最大值）	120A
系列	STGWT80H65DFB
输入类型	标准
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	650 V
集电极—射极饱和电压	1.6 V
集电极最大连续电流Ic	80 A