Datasheet下载- 型号： STGWT60H65DFB
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGWT60H65DFB由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGWT60H65DFB价格参考。STMicroelectronicsSTGWT60H65DFB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STGWT60H65DFB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGWT60H65DFB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGWT60H65DFB是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - UGBT，MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） STGWT60H65DFB适用于各种开关电源设计，包括AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其高耐压（650V）和低导通电阻特性，使其在高效能开关电源中表现出色，能够降低功耗并提高系统效率。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于驱动中小功率电机，例如家用电器中的风扇、水泵或伺服电机。其快速开关速度和良好的热性能有助于实现精确控制和稳定运行。 3. 逆变器 在太阳能逆变器或不间断电源（UPS）中，STGWT60H65DFB可以作为核心功率开关器件，用于将直流电转换为交流电。其高耐压和低损耗特性非常适合这些应用。 4. 电池管理系统（BMS） 该器件可应用于电动汽车、储能系统或便携式设备的电池管理电路中，用作充放电控制开关或保护电路，确保系统的安全性和可靠性。 5. 工业自动化 在工业控制系统中，STGWT60H65DFB可用于负载切换、信号隔离和功率调节等场景，支持稳定可靠的工业级应用需求。 6. 照明系统 该MOSFET适合LED驱动电路，特别是在大功率LED照明中，能够提供高效的电流控制和稳定的亮度输出。 7. 家电产品 家用电器如微波炉、电磁炉、空调等需要功率开关的应用中，STGWT60H65DFB能够胜任关键的功率转换任务。 总结来说，STGWT60H65DFB凭借其高耐压、低导通电阻和优异的开关性能，广泛应用于电力电子领域，特别是在需要高效能和高可靠性的场景中表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 51ns/160ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 240A |
| 描述 | IGBT 650V 80A 375W TO3P-3LIGBT 晶体管 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 306nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGWT60H65DFB- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGWT60H65DFB |
| SwitchingEnergy | 1.09mJ （开）， 626µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 60A, 5 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V，60A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 其它名称 | 497-14232-5 |
| 功率-最大值 | 375W |
| 功率耗散 | 375 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 60ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/650-v-igbt-hb-series-transistors/52308 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | STGWT60H65DFB |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.6 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 60 A |
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