ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > STGWT40V60DF
Datasheet下载- 型号： STGWT40V60DF
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STGWT40V60DF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGWT40V60DF由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGWT40V60DF价格参考。STMicroelectronicsSTGWT40V60DF封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 600V 80A 283W Through Hole TO-3P。您可以下载STGWT40V60DF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGWT40V60DF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 52ns/208ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 160A |
| 描述 | IGBT 600V 80A 283W TO3P-3IGBT 晶体管 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 226nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGWT40V60DF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGWT40V60DF |
| SwitchingEnergy | 456µJ （开）， 411µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 40A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 15V，40A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 其它名称 | 497-13771-5 |
| 功率-最大值 | 283W |
| 功率耗散 | 283 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 41ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | STGWT40V60DF |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.35 V |
