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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGW80H65DFB由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW80H65DFB价格参考。STMicroelectronicsSTGW80H65DFB封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247。您可以下载STGW80H65DFB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGW80H65DFB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGW80H65DFB是一款高性能的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于超结MOSFET(UGBT)系列,主要应用于高电压、高效率的电力电子转换系统。该型号的特点是具备低导通电阻(Rds(on))、快速开关速度和高击穿电压(V(BR)DSS = 650V),使其非常适合用于工业电源、消费电子以及电动汽车等领域的高效能电力管理。 具体应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,STGW80H65DFB能够实现高效的AC-DC或DC-DC转换,适用于笔记本电脑适配器、电视电源、服务器电源等设备。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高整体效率。 2. 电机驱动:用于无刷直流电机(BLDC)或步进电机的驱动电路中,该MOSFET可以提供稳定的电流控制,确保电机运行平稳且节能。特别是在家电如空调、洗衣机等产品中广泛应用。 3. 太阳能逆变器:在光伏系统中,STGW80H65DFB可用于构建逆变器的核心功率级,将太阳能板产生的直流电转换为交流电并接入电网。其高耐压特性保证了在恶劣环境下的可靠性。 4. 不间断电源(UPS):为数据中心、通信基站等关键设施提供稳定电力支持时,这款MOSFET能有效提升UPS系统的响应速度与能量转换效率。 5. 电动车辆:在电动车的动力总成系统中,包括电池管理系统(BMS)、车载充电器(OBC)及牵引逆变器等部件均可采用此器件,以满足严格的性能要求并延长续航里程。 总之,STGW80H65DFB凭借其卓越的电气参数,在众多需要高效、可靠电力传输与转换的应用场合展现出色表现。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 84ns/280ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 240A |
描述 | IGBT 650V 120A 469W TO-247 |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 414nC |
IGBT类型 | 沟道和场截止 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STGW80H65DFB |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
SwitchingEnergy | 2.1mJ (开), 1.5mJ (关) |
TestCondition | 400V, 80A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V, 80A |
供应商器件封装 | TO-247 |
其它名称 | 497-14368 |
功率-最大值 | 469W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 85ns |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/650-v-igbt-hb-series-transistors/52308 |
电压-集射极击穿(最大值) | 650V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 120A |
输入类型 | 标准 |