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  • 型号: STGW39NC60VD
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STGW39NC60VD由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW39NC60VD价格参考。STMicroelectronicsSTGW39NC60VD封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STGW39NC60VD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGW39NC60VD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

33ns/178ns

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

220A

描述

IGBT 600V 80A 250W TO247IGBT 晶体管 N-CHANNEL MFT

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

126nC

IGBT类型

-

品牌

STMicroelectronics

产品手册

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF119162?referrer=70032480

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGW39NC60VDPowerMESH™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STGW39NC60VD

SwitchingEnergy

333µJ (开), 537µJ (关)

TestCondition

390V, 30A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.4V @ 15V,30A

产品种类

IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

497-5741

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF119162?referrer=70071840

功率-最大值

250W

功率耗散

250 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

45ns

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

30

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

+/- 100 nA

标准包装

30

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

80A

系列

STGW39NC60VD

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

1.8 V/1.7 V

集电极最大连续电流Ic

80 A

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