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Datasheet下载- 型号： STGW35NB60SD
- 制造商： STMicroelectronics
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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STGW35NB60SD产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGW35NB60SD由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW35NB60SD价格参考。STMicroelectronicsSTGW35NB60SD封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247-3。您可以下载STGW35NB60SD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGW35NB60SD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 92ns/1.1µs |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 250A |
| 描述 | IGBT 600V 70A 200W TO247 |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 83nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STGW35NB60SD |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerMESH™ |
| SwitchingEnergy | 840µJ （开）， 7.4mJ （关） |
| TestCondition | 480V, 20A, 100 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.7V @ 15V，20A |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF117644?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 44ns |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70A |
| 输入类型 | 标准 |
