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  • 型号: STGW30NC60WD
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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STGW30NC60WD产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STGW30NC60WD由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW30NC60WD价格参考。STMicroelectronicsSTGW30NC60WD封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3。您可以下载STGW30NC60WD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGW30NC60WD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

29.5ns/118ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

150A

描述

IGBT 600V 60A 200W TO247IGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

102nC

IGBT类型

-

品牌

STMicroelectronics

产品手册

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF112776?referrer=70032480

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGW30NC60WDPowerMESH™

数据手册

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产品型号

STGW30NC60WD

SwitchingEnergy

305µJ (开), 181µJ (关)

TestCondition

390V, 20A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.5V @ 15V,20A

产品目录页面

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产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

497-5204-5
STGW30NC60WD-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF112776?referrer=70071840

功率-最大值

200W

功率耗散

200 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

40ns

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

600

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

100 nA

标准包装

30

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

60A

系列

STGW30NC60WD

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

2.1 V

集电极最大连续电流Ic

60 A

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