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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGW30NC60VD由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW30NC60VD价格参考。STMicroelectronicsSTGW30NC60VD封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 80A 250W Through Hole TO-247-3。您可以下载STGW30NC60VD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGW30NC60VD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGW30NC60VD是一款MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单个晶体管类别,主要用于高压和高功率应用。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:STGW30NC60VD适用于各种电源管理系统,如开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC converters)等。它能够在高效能、低损耗的情况下进行电压调节和电流控制。 2. 电机驱动:在工业自动化和消费电子领域中,该器件可用于驱动电机,特别是步进电机、伺服电机和无刷直流电机(BLDC)。其高耐压和低导通电阻特性有助于提高电机效率并减少发热。 3. 逆变器与变频器:用于太阳能逆变器和变频空调等设备中,能够实现高效的能量转换,同时保持稳定的输出性能。这得益于其出色的开关特性和热稳定性。 4. 不间断电源(UPS):作为关键组件之一,它可以确保UPS系统在市电中断时快速切换到备用电池供电,并且在恢复市电后平稳地切换回正常工作状态。 5. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV):在车载充电器、牵引逆变器和其他电力电子模块中发挥重要作用,帮助实现更高的续航里程和更好的动态响应。 6. 照明系统:适用于LED路灯、舞台灯光等大功率照明场合,提供精确的电流控制以优化光效并延长灯具寿命。 7. 通信基础设施:基站、路由器等通信设备中的电源部分也会用到这种类型的MOSFET,以保证稳定可靠的运行环境。 总之,STGW30NC60VD凭借其卓越的电气参数和可靠性,在众多需要高效能、高可靠性的电力电子应用中展现出色的表现。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 31ns/100ns |
产品目录 | 分立半导体产品 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 150A |
描述 | IGBT 600V 80A 250W TO247 |
产品分类 | IGBT - 单路 |
GateCharge | 100nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STGW30NC60VD |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PowerMESH™ |
SwitchingEnergy | 220µJ (开), 330µJ (关) |
TestCondition | 390V, 20A, 3.3 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,20A |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | 497-5969-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF167509?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 250W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 44ns |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 80A |
输入类型 | 标准 |