ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > STGW30NC60KD
Datasheet下载- 型号： STGW30NC60KD
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGW30NC60KD由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGW30NC60KD价格参考。STMicroelectronicsSTGW30NC60KD封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3。您可以下载STGW30NC60KD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGW30NC60KD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 29ns/120ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 125A |
| 描述 | IGBT 600V 60A 200W TO247IGBT 晶体管 30A 600v IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 96nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | http://www.st.com/st-web-ui/static/active/en/resource/technical/document/datasheet/CD00185304.pdf?s_searchtype=keyword |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGW30NC60KDPowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGW30NC60KD |
| SwitchingEnergy | 350µJ （开）， 435µJ （关） |
| TestCondition | 480V, 20A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，20A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-7485-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF178110?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 40ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60A |
| 系列 | STGW30NC60KD |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 60 A |
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