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  • 型号: STGP8NC60KD
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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STGP8NC60KD产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STGP8NC60KD由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGP8NC60KD价格参考。STMicroelectronicsSTGP8NC60KD封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 15A 65W Through Hole TO-220AB。您可以下载STGP8NC60KD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGP8NC60KD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

17ns/72ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

30A

描述

IGBT 600V 15A 65W TO220IGBT 晶体管 N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

19nC

IGBT类型

-

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGP8NC60KDPowerMESH™

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产品型号

STGP8NC60KD

SwitchingEnergy

55µJ (开), 85µJ (关)

TestCondition

390V, 3A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.75V @ 15V,3A

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产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-7481-5
STGP8NC60KD-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF191788?referrer=70071840

功率-最大值

65W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

23.5ns

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

标准包装

50

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

15A

系列

STGP8NC60KD

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极最大连续电流Ic

7 A

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