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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGP20V60DF由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGP20V60DF价格参考¥询价-¥询价。STMicroelectronicsSTGP20V60DF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STGP20V60DF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGP20V60DF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 38ns/149ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 80A |
描述 | IGBT 600V 40A 167W TO220ABIGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 116nC |
IGBT类型 | 沟道和场截止 |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGP20V60DF- |
数据手册 | |
产品型号 | STGP20V60DF |
SwitchingEnergy | 200µJ (开), 130µJ (关) |
TestCondition | 400V, 20A, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.2V @ 15V,20A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | 497-13761-5 |
功率-最大值 | 167W |
功率耗散 | 167 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 40ns |
商标 | STMicroelectronics |
在25C的连续集电极电流 | 40 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220 |
工厂包装数量 | 50 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
标准包装 | 50 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 40A |
系列 | STGP20V60DF |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.3 V |