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  • 型号: STGP10NB60SD
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STGP10NB60SD由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGP10NB60SD价格参考。STMicroelectronicsSTGP10NB60SD封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STGP10NB60SD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGP10NB60SD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

700ns/1.2µs

产品目录

分立半导体产品半导体

Current-CollectorPulsed(Icm)

80A

描述

IGBT 600V 29A 80W TO220IGBT 晶体管 N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

33nC

IGBT类型

-

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGP10NB60SDPowerMESH™

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产品型号

STGP10NB60SD

SwitchingEnergy

600µJ (开), 5mJ (关)

TestCondition

480V, 10A, 1 千欧, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

1.75V @ 15V, 10A

产品目录页面

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产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-5008-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF67299?referrer=70071840

功率-最大值

80W

功率耗散

3.5 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

37ns

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

标准包装

50

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

29A

系列

STGP10NB60SD

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极最大连续电流Ic

20 A

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