ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > STGP10H60DF
Datasheet下载- 型号： STGP10H60DF
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGP10H60DF由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGP10H60DF价格参考。STMicroelectronicsSTGP10H60DF封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 600V 20A 115W Through Hole TO-220。您可以下载STGP10H60DF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGP10H60DF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGP10H60DF是一款MOSFET晶体管，属于超结功率MOSFET（UGBT）系列。它具有以下关键参数和应用场景： 关键参数： - 电压等级：600V，适用于高电压应用。 - 电流能力：连续漏极电流（ID）为10A，可满足中等功率需求。 - 导通电阻：低Rds(on)，有助于降低功耗和提升效率。 - 封装形式：通常采用TO-220或TO-247等标准封装，便于散热设计。 应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - 该器件适合用于开关电源中的高频开关操作，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。 - 其高电压耐受能力和低导通电阻使其在高效能电源设计中表现优异。 2. 电机驱动 - 可用于中小功率电机驱动电路，如家用电器（风扇、泵）、工业自动化设备中的电机控制。 - 在桥式电路（如H桥）中作为开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 逆变器 - 广泛应用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）和其他需要电能转换的系统。 - 高频开关特性支持高效的逆变过程，减少能量损失。 4. PFC（功率因数校正）电路 - 在功率因数校正电路中，STGP10H60DF可以提高系统的功率因数，降低谐波失真，满足严格的电磁兼容性（EMC）要求。 5. 负载切换与保护 - 用于各种负载切换应用，例如电子开关、继电器替代方案。 - 提供快速响应和可靠的过流保护功能。 6. 汽车电子 - 虽然不是车规级产品，但在非关键车载应用中（如照明、辅助电源），也可发挥其性能优势。 总结： STGP10H60DF凭借其高电压、低导通电阻和出色的开关性能，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及新能源领域。选择此器件时，需结合具体电路设计需求，确保散热和驱动条件符合要求，以充分发挥其性能潜力。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 19.5ns/103ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 40A |
| 描述 | IGBT 600V 20A 115W TO220IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 57nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGP10H60DF- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGP10H60DF |
| SwitchingEnergy | 83µJ （开）， 140µJ （关） |
| TestCondition | 400V， 10A， 10 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.95V @ 15V， 10A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-14277-5 |
| 功率-最大值 | 115W |
| 功率耗散 | 115 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 107ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 20 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 系列 | STGP10H60DF |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 10 A |
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