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  • 型号: STGF3NC120HD
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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STGF3NC120HD产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STGF3NC120HD由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGF3NC120HD价格参考。STMicroelectronicsSTGF3NC120HD封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 1200V 6A 25W Through Hole TO-220FP。您可以下载STGF3NC120HD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGF3NC120HD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

15ns/118ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

20A

描述

IGBT 1200V 6A 25W TO220FPIGBT 晶体管 N-Ch 1200 Volt 3 Amp

产品分类

IGBT - 单路分离式半导体

GateCharge

24nC

IGBT类型

-

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGF3NC120HDPowerMESH™

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产品型号

STGF3NC120HD

SwitchingEnergy

236µJ (开), 290µJ (关)

TestCondition

800V, 3A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.8V @ 15V,3A

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产品种类

IGBT 晶体管

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

497-4353-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC953/PF83578?referrer=70071840

功率-最大值

25W

功率耗散

25 W

包装

管件

反向恢复时间(trr)

51ns

商标

STMicroelectronics

在25C的连续集电极电流

6 A

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220-3 FP

工厂包装数量

1000

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极/发射极最大电压

+/- 20 V

栅极—射极漏泄电流

+/- 100 nA

标准包装

50

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749

电压-集射极击穿(最大值)

1200V

电流-集电极(Ic)(最大值)

6A

系列

STGF3NC120HD

输入类型

标准

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

1200 V

集电极—射极饱和电压

2.8 V

集电极最大连续电流Ic

6 A

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