ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > STGF20H60DF
Datasheet下载- 型号： STGF20H60DF
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGF20H60DF由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGF20H60DF价格参考。STMicroelectronicsSTGF20H60DF封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT Trench Field Stop 600V 40A 37W Through Hole TO-220FP。您可以下载STGF20H60DF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGF20H60DF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGF20H60DF是一款MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单个MOSFET类别。该器件具有以下特点和应用场景： 1. 电气特性 - 耐压能力：STGF20H60DF的最大漏源电压（VDS）为600V，适用于高压环境下的开关应用。 - 导通电阻：其导通电阻较低，有助于减少功率损耗，提高效率。 - 电流处理能力：能够承受较高的电流，具体取决于工作温度和其他条件。 2. 应用场景 由于其高压和高效能的特点，STGF20H60DF广泛应用于以下几个领域： 2.1 工业电源 - 开关电源：在开关模式电源（SMPS）中，作为高频开关元件，用于提高电源转换效率，降低能量损失。 - 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，用于电池充放电控制，确保电力供应的稳定性和可靠性。 2.2 电机驱动 - 变频器：用于工业自动化中的变频器，控制电机的速度和转矩，实现节能和精确控制。 - 伺服驱动器：在高精度伺服系统中，作为功率级元件，提供高效的电流控制和快速响应。 2.3 新能源领域 - 太阳能逆变器：在光伏系统中，将直流电转换为交流电，确保电力的有效传输和利用。 - 风力发电：用于风力发电机的控制系统，调节输出电压和频率，适应电网要求。 2.4 汽车电子 - 车载充电器：在电动汽车中，用于车载充电器的功率转换部分，确保电池的安全充电。 - 电动助力转向（EPS）：在汽车电动助力转向系统中，作为驱动电机的控制元件，提供精确的助力控制。 3. 优势 - 高可靠性：STMicroelectronics的产品以其高可靠性和长寿命著称，适合恶劣环境下使用。 - 低功耗：通过优化设计，降低了导通和开关损耗，提高了整体系统的能效。 - 紧凑设计：采用小型封装，节省了电路板空间，便于集成到各种设备中。 综上所述，STGF20H60DF凭借其出色的电气性能和广泛的应用场景，成为工业、新能源和汽车电子等领域的重要元件。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 42.5ns/177ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 80A |
| 描述 | IGBT 600V 40A 37W TO220FPIGBT 晶体管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 115nC |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGF20H60DF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGF20H60DF |
| SwitchingEnergy | 209µJ （开）， 261µJ （关） |
| TestCondition | 400V, 20A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V，20A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-13758-5 |
| 功率-最大值 | 37W |
| 功率耗散 | 37 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 90ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 40 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 FP |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 250 nA |
| 标准包装 | 50 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 40A |
| 系列 | STGF20H60DF |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2 V |
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