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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGF19NC60KD由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGF19NC60KD价格参考。STMicroelectronicsSTGF19NC60KD封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 16A 32W Through Hole TO-220FP。您可以下载STGF19NC60KD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGF19NC60KD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STGF19NC60KD是一款单个MOSFET晶体管,属于超快沟道(UGBT)系列。它具有600V的耐压能力,适用于高压应用场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) STGF19NC60KD广泛应用于开关电源中,尤其是在需要高效能和快速开关特性的场合。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关速度有助于减少功率损耗,提高电源转换效率。常见的应用包括: - 开关模式电源(Switch Mode Power Supply, SMPS) - DC-DC转换器 - AC-DC适配器 2. 电机驱动 在电机驱动领域,STGF19NC60KD能够提供高效的电流控制和保护功能。它适用于各种类型的电机,如无刷直流电机(BLDC)、步进电机等。其高耐压和低损耗特性使得它在电机启动、加速和制动过程中表现出色,适合以下应用: - 工业自动化设备中的电机驱动 - 家用电器中的电机控制 - 电动工具的驱动电路 3. 逆变器 逆变器是将直流电转换为交流电的设备,广泛应用于太阳能发电系统、不间断电源(UPS)等领域。STGF19NC60KD的高速开关特性和低损耗特性使其成为逆变器的理想选择,特别是在高频逆变器中,可以显著提高系统的效率和可靠性。 4. 电动汽车(EV)与混合动力汽车(HEV) 在电动汽车和混合动力汽车中,STGF19NC60KD可用于车载充电器、电池管理系统(BMS)、DC-DC转换器等关键部件。其高耐压和低损耗特性有助于提高车辆的能源利用效率,延长续航里程。 5. 工业控制系统 在工业控制系统中,STGF19NC60KD可用于各种电力电子设备,如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等。其高可靠性和快速响应特性使其能够在复杂的工业环境中稳定工作,确保系统的高效运行。 总结 STGF19NC60KD凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关速度等优势,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、电动汽车以及工业控制系统等场景,尤其适合需要高效能和高可靠性的电力电子设备。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 30ns/105ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 75A |
描述 | IGBT 600V 16A 32W TO220FPIGBT 晶体管 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 55nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGF19NC60KDPowerMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STGF19NC60KD |
SwitchingEnergy | 165µJ (开), 255µJ (关) |
TestCondition | 480V, 12A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.75V @ 15V,12A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220FP |
其它名称 | 497-12595-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF210676?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 32W |
功率耗散 | 32 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 31ns |
商标 | STMicroelectronics |
在25C的连续集电极电流 | 35 A |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 50 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 16A |
系列 | STGF19NC60KD |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2 V |
集电极最大连续电流Ic | 16 A |