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产品简介:
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参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 25ns/97ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 60A |
描述 | IGBT 600V 16A 32W TO220FPIGBT 晶体管 N-CHANNEL MFT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 53nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGF19NC60HDPowerMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STGF19NC60HD |
SwitchingEnergy | 85µJ (开), 189µJ (关) |
TestCondition | 390V, 12A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,12A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-220FP |
其它名称 | 497-5740 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF144968?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 32W |
功率耗散 | 35 W |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | 31ns |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220-3 FP |
工厂包装数量 | 50 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
标准包装 | 50 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 16A |
系列 | STGF19NC60HD |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.8 V/1.6 V |
集电极最大连续电流Ic | 16 A |