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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGE50NC60WD由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGE50NC60WD价格参考。STMicroelectronicsSTGE50NC60WD封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STGE50NC60WD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGE50NC60WD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | IGBT UFAST N-CH 100A 600V ISOTOPIGBT 晶体管 N-Ch 600volt 50 Amp |
产品分类 | IGBT - 模块分离式半导体 |
IGBT类型 | - |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGE50NC60WDPowerMESH™ |
NTC热敏电阻 | 无 |
数据手册 | |
产品型号 | STGE50NC60WD |
不同 Vce时的输入电容(Cies) | 4.7nF @ 25V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.6V @ 15V,40A |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | ISOTOP |
其它名称 | 497-8781-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF176632?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 260W |
功率耗散 | 260 W |
商标 | STMicroelectronics |
在25C的连续集电极电流 | 50 A |
安装类型 | 底座安装 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | ISOTOP |
封装/箱体 | ISOTOP-4 |
工厂包装数量 | 10 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 10 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100A |
电流-集电极截止(最大值) | 500µA |
系列 | STGE50NC60WD |
输入 | 标准 |
配置 | Single Dual Emitter |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |