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Datasheet下载- 型号： STGE200NB60S
- 制造商： STMicroelectronics
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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STGE200NB60S产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGE200NB60S由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGE200NB60S价格参考。STMicroelectronicsSTGE200NB60S封装/规格：晶体管 - IGBT - 模块， IGBT Module Single 600V 200A 600W Chassis Mount ISOTOP。您可以下载STGE200NB60S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGE200NB60S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOPIGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 150Amp |
| 产品分类 | IGBT - 模块分离式半导体 |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF68783?referrer=70032480 |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGE200NB60SPowerMESH™ |
| NTC热敏电阻 | 无 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGE200NB60S |
| 不同 Vce时的输入电容(Cies) | 1.56nF @ 25V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.6V @ 15V，100A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | ISOTOP |
| 其它名称 | 497-6731-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF68783?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 600W |
| 功率耗散 | 600 W |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 200 A |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | ISOTOP |
| 封装/箱体 | ISOTOP-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
| 标准包装 | 10 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500µA |
| 系列 | STGE200NB60S |
| 输入 | 标准 |
| 配置 | 单一 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.2 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 200 A |
