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产品简介:
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STMicroelectronics的型号STGD6NC60HDT4是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - UGBT(超结沟槽MOSFET)类别,具有以下应用场景: 1. 开关电源(SMPS):该MOSFET适用于各种开关电源设计,包括AC-DC转换器、DC-DC转换器和PFC(功率因数校正)电路。其低导通电阻和快速开关特性能够提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动:可用于驱动各类电机,如无刷直流电机(BLDC)、步进电机等。其高耐压(600V)和低导通电阻使其适合在工业控制、家用电器和电动工具中应用。 3. 逆变器:适用于太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器,用于将直流电转换为交流电。其高效能表现有助于提升逆变器的整体性能和可靠性。 4. 电动车和混合动力车:可应用于电动车和混合动力车中的电池管理系统(BMS)、DC-DC转换器和电机控制器,提供高效、可靠的电力传输和控制。 5. 充电器:广泛用于快充充电器和其他高功率充电设备中,确保高效的电力传输和稳定的输出。 6. 工业自动化:可用于工业自动化设备中的开关和控制电路,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等,提供稳定和高效的电力控制。 这款MOSFET凭借其高耐压能力、低导通电阻和快速开关速度,在需要高效能和高可靠性的电力电子应用中表现出色。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 12ns/76ns |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 21A |
描述 | IGBT 600V 15A 56W DPAKIGBT 晶体管 PowerMESH" IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 13.6nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGD6NC60HDT4PowerMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STGD6NC60HDT4 |
SwitchingEnergy | 20µJ (开), 68µJ (关) |
TestCondition | 390V, 3A, 10 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,3A |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | 497-5112-6 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF100921?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 56W |
功率耗散 | 50 W |
包装 | Digi-Reel® |
反向恢复时间(trr) | 21ns |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-3 |
工厂包装数量 | 2500 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 15A |
系列 | STGD6NC60HD |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.9 V |
集电极最大连续电流Ic | 15 A |