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Datasheet下载- 型号： STGD5NB120SZT4
- 制造商： STMicroelectronics
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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STGD5NB120SZT4产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGD5NB120SZT4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGD5NB120SZT4价格参考。STMicroelectronicsSTGD5NB120SZT4封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 1200V 10A 75W Surface Mount DPAK。您可以下载STGD5NB120SZT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGD5NB120SZT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 690ns/12.1µs |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 10A |
| 描述 | IGBT 1200V 10A 75W DPAKIGBT 晶体管 N-Ch 1200 Volt 5 Amp |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGD5NB120SZT4PowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGD5NB120SZT4 |
| SwitchingEnergy | 2.59mJ （开）， 9mJ （关） |
| TestCondition | 960V, 5A, 1 千欧, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2V @ 15V，5A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-4352-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC953/PF67292?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 75W |
| 功率耗散 | 55 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 10 A |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 10A |
| 系列 | STGD5NB120SZ |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 10 A |
