ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > STGB7NC60HDT4
Datasheet下载- 型号： STGB7NC60HDT4
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STGB7NC60HDT4产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGB7NC60HDT4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGB7NC60HDT4价格参考。STMicroelectronicsSTGB7NC60HDT4封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 600V 25A 80W Surface Mount D2PAK。您可以下载STGB7NC60HDT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGB7NC60HDT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 18.5ns/72ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 600V 25A 80W D2PAKIGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 14 Amp |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 35nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | http://www.st.com/st-web-ui/static/active/en/resource/technical/document/datasheet/CD00003695.pdf?s_searchtype=keyword |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGB7NC60HDT4PowerMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGB7NC60HDT4 |
| SwitchingEnergy | 95µJ （开）， 115µJ （关） |
| TestCondition | 390V, 7A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V，7A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-4108-2 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF78349?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 80W |
| 功率耗散 | 25 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 37ns |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 10 A |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 25A |
| 系列 | STGB7NC60HD |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.5 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 25 A |
