ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > STGB3NB60FDT4
Datasheet下载- 型号： STGB3NB60FDT4
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGB3NB60FDT4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGB3NB60FDT4价格参考。STMicroelectronicsSTGB3NB60FDT4封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 600V 6A 68W Surface Mount D2PAK。您可以下载STGB3NB60FDT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STGB3NB60FDT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 12.5ns/105ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 24A |
| 描述 | IGBT 600V 6A 68W D2PAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | 16nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STGB3NB60FDT4 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerMESH™ |
| SwitchingEnergy | 125µJ （关） |
| TestCondition | 480V, 3A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V，3A |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-2449-1 |
| 功率-最大值 | 68W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | 45ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 输入类型 | 标准 |
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