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STGB20NC60V产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGB20NC60V由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供STGB20NC60V价格参考以及STMicroelectronicsSTGB20NC60V封装/规格参数等产品信息。 你可以下载STGB20NC60V参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有STGB20NC60V详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 31ns/100ns |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 100A |
描述 | IGBT 600V 60A 200W D2PAKIGBT 晶体管 30 A 600V FAST IGBT |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 100nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGB20NC60VPowerMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STGB20NC60V |
SwitchingEnergy | 220µJ (开), 330µJ (关) |
TestCondition | 390V, 20A, 3.3 欧姆, 15V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V,20A |
产品目录页面 | |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | 497-7008-1 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF208446?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 200W |
功率耗散 | 200 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | STMicroelectronics |
在25C的连续集电极电流 | 60 A |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
电压-集射极击穿(最大值) | 600V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 60A |
系列 | STGB20NC60V |
输入类型 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.8 V |
集电极最大连续电流Ic | 60 A |