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STGB20N40LZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STGB20N40LZ由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGB20N40LZ价格参考。STMicroelectronicsSTGB20N40LZ封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 390V 25A 150W Surface Mount TO-263 (D²Pak)。您可以下载STGB20N40LZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGB20N40LZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
25°C时Td(开/关)值 | 700ns/4.3µs |
产品目录 | |
Current-CollectorPulsed(Icm) | 40A |
描述 | IGBT 390V 25A 150W D2PAKIGBT 晶体管 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped |
产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
GateCharge | 24nC |
IGBT类型 | - |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGB20N40LZPowerMESH™ |
数据手册 | |
产品型号 | STGB20N40LZ |
SwitchingEnergy | - |
TestCondition | 300V, 10A, 1 千欧, 5V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.6V @ 4V,6A |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | TO-263 (D²Pak) |
其它名称 | 497-14035-1 |
功率-最大值 | 150W |
功率耗散 | 150 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极/发射极最大电压 | 16 V |
栅极—射极漏泄电流 | 625 uA |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
电压-集射极击穿(最大值) | 390V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 25A |
系列 | STGB20N40LZ |
输入类型 | 逻辑 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 425 V |
集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
集电极最大连续电流Ic | 25 A |