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  • 型号: STGB19NC60HDT4
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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STGB19NC60HDT4产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STGB19NC60HDT4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STGB19NC60HDT4价格参考。STMicroelectronicsSTGB19NC60HDT4封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 600V 40A 130W Surface Mount D2PAK。您可以下载STGB19NC60HDT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STGB19NC60HDT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

25ns/97ns

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

60A

描述

IGBT 600V 40A 130W D2PAK

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

53nC

IGBT类型

-

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

STGB19NC60HDT4

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

PowerMESH™

SwitchingEnergy

85µJ (开), 189µJ (关)

TestCondition

390V, 12A, 10 欧姆, 15V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.5V @ 15V,12A

产品目录页面

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供应商器件封装

D2PAK

其它名称

497-6026-2

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF155825?referrer=70071840

功率-最大值

130W

包装

带卷 (TR)

反向恢复时间(trr)

31ns

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1,000

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

40A

输入类型

标准

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