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STFW6N120K3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STFW6N120K3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STFW6N120K3价格参考。STMicroelectronicsSTFW6N120K3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1200V 6A(Tc) 63W(Tc) ISOWATT-218FX。您可以下载STFW6N120K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STFW6N120K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PFMOSFET N-Ch 1200V 1.95 Ohm 6A Zener SuperMESH3 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
Id-连续漏极电流 | 6 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STFW6N120K3SuperMESH3™ |
数据手册 | |
产品型号 | STFW6N120K3 |
Pd-PowerDissipation | 150 W |
Pd-功率耗散 | 150 W |
Qg-GateCharge | 34 nC |
Qg-栅极电荷 | 34 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 32 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1050pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 欧姆 @ 2.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-3PF |
其它名称 | 497-12122 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF243178?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 58 ns |
功率-最大值 | 63W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 2.4 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
封装/箱体 | TO-3PF-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
汲极/源极击穿电压 | 1.2 kV |
漏极连续电流 | 6 A |
漏源极电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Tc) |
系列 | STFW6N120K3 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |