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  • 型号: STFI7N80K5
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STFI7N80K5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STFI7N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTFI7N80K5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STFI7N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STFI7N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 800V 6A I2PAK-FPMOSFET N-Ch 800V 0.95 Ohm typ 6A Zener-protect

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6 A

Id-连续漏极电流

6 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STFI7N80K5SuperMESH5™

mouser_ship_limit

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产品型号

STFI7N80K5

Pd-PowerDissipation

25 W

Pd-功率耗散

25 W

Qg-GateCharge

13.4 nC

Qg-栅极电荷

13.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+ /- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

+ /- 30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

8.3 ns

下降时间

20.2 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

360pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.2 欧姆 @ 3A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

*

其它名称

497-14557-5
STFI7N80K5-ND

典型关闭延迟时间

23.7 ns

功率-最大值

25W

包装

*

商标

STMicroelectronics

安装类型

*

安装风格

Through Hole

导通电阻

1.2 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

*

封装/箱体

I2PAKFP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

800 V

漏极连续电流

6 A

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6A (Tc)

系列

STFI7N80

配置

Single

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