【晶体管 - FET，MOSFET - 单_STF8N80K5】封装/厂家_STF8N80K5中文资料_价格

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型号： STF8N80K5
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STF8N80K5产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STF8N80K5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF8N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTF8N80K5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 800V 6A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP。您可以下载STF8N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF8N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 800V 6A TO220FPMOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6ASuperMESH 5
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	6 A
Id-连续漏极电流	6 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF8N80K5SuperMESH5™
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STF8N80K5
Pd-PowerDissipation	25 W
Pd-功率耗散	25 W
Qg-GateCharge	16.5 nC
Qg-栅极电荷	16.5 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	950 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	950 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	800 V
Vds-漏源极击穿电压	800 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	4 V
Vgsth-栅源极阈值电压	4 V
上升时间	14 ns
下降时间	20 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	450pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	16.5nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	950 毫欧 @ 3A， 10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220FP
其它名称	497-13645-5
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF253675?referrer=70071840
典型关闭延迟时间	32 ns
功率-最大值	25W
包装	管件
商标	STMicroelectronics
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3 整包
封装/箱体	TO-220FP-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	800V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6A （Tc）
系列	STF8N80K5
通道模式	Enhancement
配置	Single