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Datasheet下载- 型号： STF40N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STF40N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF40N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTF40N60M2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 34A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP。您可以下载STF40N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF40N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STF40N60M2是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于各种开关电源设计，例如DC-DC转换器、反激式变换器和正激式变换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电机控制：可用于驱动中小型直流电机或步进电机。通过高速开关和良好的热性能，能够实现高效的电机控制和保护。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，STF40N60M2可以用作开关元件，将直流电转换为交流电。 4. 负载切换：在需要高电压和大电流切换的应用中，如汽车电子系统中的负载切换，这款MOSFET可以提供可靠的性能。 5. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电管理，特别是在电动车、不间断电源（UPS）等应用中，确保电池的安全和高效运行。 6. 工业自动化：在工业控制系统中，作为信号放大或功率驱动器件，用于控制各种执行器和传感器。 7. 照明系统：在LED照明驱动电路中，用作功率开关，实现调光和恒流控制功能。 8. 电信设备：在基站和其他通信设备中，作为功率级开关，支持高效的能量转换和分配。 总之，STF40N60M2凭借其耐压高（600V）、电流承载能力强（40A）、开关速度快的特点，非常适合于要求高效率、高可靠性的电力电子应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 34A TO220FPMOSFET Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 34 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF40N60M2MDmesh™ II Plus |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF40N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| Qg-GateCharge | 57 nC |
| Qg-栅极电荷 | 57 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 88 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 13.5 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2500pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 88 毫欧 @ 17A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-14193-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 96 ns |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 88 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 650 V |
| 漏极连续电流 | 34 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 34A （Tc） |
| 系列 | STF40N60M2 |
| 配置 | Single |
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