【晶体管 - FET，MOSFET - 单_STF30N10F7】封装/厂家_STF30N10F7中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： STF30N10F7
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STF30N10F7由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF30N10F7价格参考。STMicroelectronicsSTF30N10F7封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 100V 24A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP。您可以下载STF30N10F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF30N10F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STF30N10F7是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类型。该型号具有较低的导通电阻（Rds(on)），良好的开关性能和较高的电流承载能力，适用于多种电力电子应用。

 应用场景

1. 电源管理：
   - STF30N10F7常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等电源管理系统中。其低导通电阻有助于减少传导损耗，提高效率。
   
2. 电机驱动：
   - 在无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机驱动电路中，STF30N10F7可用于控制电机的启停、转向和速度调节。其快速开关特性有助于实现高效且稳定的电机控制。

3. 电池管理系统（BMS）：
   - 该器件可应用于锂电池或其他电池组的保护电路中，用于过流保护、短路保护以及电池充放电控制，确保电池的安全性和可靠性。

4. 逆变器与变频器：
   - 在太阳能逆变器、工业变频器等设备中，STF30N10F7作为功率开关元件，用于将直流电转换为交流电或调节输出频率，以适应不同的负载需求。

5. 消费电子产品：
   - 如智能手机、平板电脑等便携式设备中的充电管理模块、背光驱动电路等，STF30N10F7能够提供高效的电源管理和信号切换功能。

6. 汽车电子：
   - 在车载电子系统中，如电动助力转向（EPS）、车身控制系统（BCM）等，STF30N10F7可以承受较高的工作温度和电压波动，保证系统的稳定运行。

总之，STF30N10F7凭借其优异的电气特性和可靠性，在众多领域中发挥着重要作用，特别是在需要高效功率转换和精确控制的应用场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FPMOSFET N-Ch 100V 0.02 Ohm typ 35A STripFET VII
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	24 A
Id-连续漏极电流	24 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF30N10F7DeepGATE™， STripFET™ VII
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STF30N10F7
Pd-PowerDissipation	25 W
Pd-功率耗散	25 W
Qg-GateCharge	19 nC
Qg-栅极电荷	19 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	24 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	24 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	4.5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	4.5 V
上升时间	17.5 ns
下降时间	5.6 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1270pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	19nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	24 毫欧 @ 16A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220FP
其它名称	497-14554-5 STF30N10F7-ND
典型关闭延迟时间	22 ns
功率-最大值	25W
包装	管件
商标	STMicroelectronics
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3 整包
封装/箱体	TO-220FP-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	24A （Tc）
系列	STF30N10F7
配置	Single