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Datasheet下载- 型号： STF28N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
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STF28N60M2产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STF28N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF28N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTF28N60M2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 24A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP。您可以下载STF28N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF28N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STF28N60M2 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沟道 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类型。该型号的主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） STF28N60M2 适用于开关电源中的高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、AC-DC 适配器和功率因数校正（PFC）电路。其低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（600V）使其能够在高压环境下高效工作。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机驱动电路中，作为主功率开关或逆变桥臂的一部分。其快速开关特性和低损耗性能有助于提高电机效率。 3. 工业控制 在工业自动化领域，STF28N60M2 可应用于固态继电器（SSR）、电磁阀驱动、接触器控制等场景。其高耐压能力确保在复杂工业环境中稳定运行。 4. 太阳能逆变器 该器件适合用作太阳能逆变器中的功率开关，参与能量转换过程。其高效率和可靠性有助于提升系统的整体性能。 5. 电动车与电池管理系统（BMS） 在电动车和电池管理系统中，STF28N60M2 可用于电池充放电保护、负载切换以及电流调节等功能，确保系统安全可靠。 6. 家电与消费电子 此 MOSFET 还可用于家用电器（如空调、冰箱、洗衣机等）的功率控制模块，以及消费电子产品中的充电器和电源管理单元。 总结来说，STF28N60M2 凭借其高电压承受能力、低导通电阻和出色的热性能，广泛应用于需要高效功率转换和控制的各类场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 24A TO220FPMOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF28N60M2MDmesh™ II Plus |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF28N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| Qg-GateCharge | 37 nC |
| Qg-栅极电荷 | 37 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 120 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1370pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-14216-5 |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 120 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 24 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
| 系列 | STF28N60M2 |
| 配置 | Single |
