ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > STF26NM60ND
Datasheet下载- 型号： STF26NM60ND
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STF26NM60ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF26NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTF26NM60ND封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP。您可以下载STF26NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF26NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STF26NM60ND是由STMicroelectronics（意法半导体）生产的单个MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体应用场景包括： 1. 电源管理：该型号适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等电力转换设备。其低导通电阻和高击穿电压特性，使得它在这些应用中能够高效地进行电流控制，减少能量损耗。 2. 电机驱动：用于无刷直流电机（BLDC）或步进电机的驱动电路中，作为功率级的一部分来实现对电机绕组电流的精确控制，支持高效、可靠的电机运转。 3. 工业自动化：可用于可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等工业控制系统中的信号隔离与功率放大环节，确保系统的稳定性和响应速度。 4. 汽车电子：符合AEC-Q101标准，适合于车载充电系统、电动助力转向（EPS）、ABS防抱死制动系统等汽车电子产品，具备良好的抗干扰能力和环境适应性。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑适配器、平板电脑充电器等领域，提供高效能的电源解决方案，满足便携式设备对小型化、轻量化设计的要求。 6. 新能源领域：在太阳能逆变器、风力发电变流器等绿色能源装置里充当关键组件，帮助提升能量转换效率并降低成本。 总之，STF26NM60ND凭借其出色的电气性能参数，在众多需要高效功率传输和控制的应用场合表现出色，广泛应用于各类高低压电力变换及驱动控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220FPMOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF26NM60NDFDmesh™ II |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF26NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| Qg-GateCharge | 54.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 54.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 145 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 145 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 14.5 ns |
| 下降时间 | 27.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1817pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 54.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 175 毫欧 @ 10.5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-14269-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 69 ns |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
| 系列 | STF26NM60ND |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
