ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > STF26NM60ND
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STF26NM60ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF26NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTF26NM60ND封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 21A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF26NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF26NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220FPMOSFET N-CH 600V 0.145Ohm typ. 21A FDmesh II |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
Id-连续漏极电流 | 21 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF26NM60NDFDmesh™ II |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | |
产品型号 | STF26NM60ND |
Pd-PowerDissipation | 35 W |
Pd-功率耗散 | 35 W |
Qg-GateCharge | 54.6 nC |
Qg-栅极电荷 | 54.6 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 145 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 145 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 14.5 ns |
下降时间 | 27.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1817pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 54.6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 175 毫欧 @ 10.5A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220FP |
其它名称 | 497-14269-5 |
典型关闭延迟时间 | 69 ns |
功率-最大值 | 35W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 21A (Tc) |
系列 | STF26NM60ND |
配置 | Single |