【晶体管 - FET，MOSFET - 单_STF24NM60N】封装/厂家_STF24NM60N中文资料_价格

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型号： STF24NM60N
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STF24NM60N产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STF24NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF24NM60N价格参考￥6.26-￥6.26。STMicroelectronicsSTF24NM60N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 600V 17A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP。您可以下载STF24NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF24NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 650V 17A TO-220FPMOSFET N-ch 600 V 0.168 Ohm 17 A MDmesh
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	17 A
Id-连续漏极电流	17 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF24NM60NMDmesh™ II
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STF24NM60N
Pd-PowerDissipation	30 W
Pd-功率耗散	30 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	190 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	190 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	600 V
Vds-漏源极击穿电压	600 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1400pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	46nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	190 毫欧 @ 8A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220FP
其它名称	497-11868-5
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251082?referrer=70071840
功率-最大值	30W
包装	管件
商标	STMicroelectronics
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3 整包
封装/箱体	TO-220FP-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	17A （Tc）
系列	STF24NM60N
配置	Single