ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > STF15NM65N
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STF15NM65N产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STF15NM65N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF15NM65N价格参考。STMicroelectronicsSTF15NM65N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF15NM65N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF15NM65N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STF15NM65N是意法半导体(STMicroelectronics)生产的单个MOSFET晶体管,属于N沟道增强型功率MOSFET。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理 STF15NM65N广泛应用于各种电源管理系统中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC适配器等。它能够高效地控制电流的通断,提供稳定的电压输出,适用于笔记本电脑、手机充电器、LED驱动器等设备。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,STF15NM65N可用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路中。它可以快速响应并精确控制电机的转速和方向,适用于电动工具、家用电器(如吸尘器、洗衣机)以及工业自动化设备中的电机控制系统。 3. 电池管理系统(BMS) 该器件可用于电池保护电路中,作为充放电路径的开关元件。通过控制MOSFET的导通与关断,可以实现对电池过充、过放、短路等异常情况的保护,确保电池的安全性和延长使用寿命。常见于电动汽车、电动自行车和便携式电子设备的电池管理系统中。 4. 逆变器 STF15NM65N也可用于光伏逆变器和不间断电源(UPS)中,作为功率转换的关键组件。它能够将直流电转换为交流电,适用于太阳能发电系统、风力发电系统以及其他可再生能源的应用场景。 5. 负载开关 在需要频繁切换负载的应用中,STF15NM65N可以用作高效的负载开关。它具有低导通电阻(Rds(on)),能够在高频率下工作,减少功率损耗,提高系统的整体效率。适用于服务器、通信设备和消费类电子产品中的负载管理。 6. 汽车电子 在汽车电子领域,STF15NM65N可用于车身控制模块(BCM)、电动助力转向(EPS)、空调系统等应用中。它能够在恶劣的环境条件下稳定工作,满足汽车电子对可靠性和安全性的严格要求。 总之,STF15NM65N凭借其出色的电气性能和可靠性,在多个领域中发挥着重要作用,特别是在需要高效功率转换和控制的应用场景中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FPMOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 15.5 A |
Id-连续漏极电流 | 15.5 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF15NM65NMDmesh™ II |
数据手册 | |
产品型号 | STF15NM65N |
Pd-PowerDissipation | 35 W |
Pd-功率耗散 | 35 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 8 ns |
下降时间 | 26 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 983pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 380 毫欧 @ 6A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220FP |
其它名称 | 497-11866-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF186689?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 80 ns |
功率-最大值 | 30W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
系列 | STF15NM65N |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |