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  • 型号: STF15N80K5
  • 制造商: STMicroelectronics
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STF15N80K5产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STF15N80K5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF15N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTF15N80K5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 14A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF15N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF15N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STF15N80K5是由STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款单个MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于增强型N沟道功率MOSFET。其主要应用场景如下:

 1. 电源管理
   STF15N80K5适用于各种电源管理系统,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC converters)等。它能够在高压环境下高效工作,具有较低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功率损耗,提高电源转换效率。该器件的高耐压特性(最高可达800V)使其适合应用于需要处理较高电压的场景,如工业电源、通信电源等。

 2. 电机驱动
   在电机驱动应用中,STF15N80K5可以用于控制电机的启动、停止和调速。它能够承受较大的电流波动,并且具备快速开关特性,确保电机运行的稳定性和可靠性。常见的应用包括电动工具、家用电器(如空调、冰箱等)中的压缩机驱动、以及工业自动化设备中的伺服电机驱动。

 3. 逆变器与变频器
   该MOSFET广泛应用于逆变器和变频器中,尤其是在太阳能逆变器、风力发电逆变器等可再生能源系统中。它的高耐压和低导通电阻特性使得它能够在高频开关条件下保持高效运行,同时减少发热,延长设备寿命。此外,STF15N80K5还适用于工业变频器,用于调节电机转速,实现节能和精确控制。

 4. 保护电路
   STF15N80K5可用于设计过流保护、短路保护等电路。由于其内置的ESD保护和较高的击穿电压,它可以有效防止电路因过载或异常情况而损坏,提升系统的安全性。例如,在汽车电子系统中,该MOSFET可以用于电池管理系统(BMS),防止电池过充或过放。

 5. 家电与消费电子产品
   在家电和消费电子产品中,STF15N80K5可用于控制负载的开关操作,如LED照明、智能插座等。其紧凑的封装形式(TO-220)使得它易于集成到小型化产品中,同时保持良好的散热性能。

总之,STF15N80K5凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于多种电力电子应用领域,特别是在需要高效能、高可靠性和高压操作的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FPMOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

14 A

Id-连续漏极电流

14 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF15N80K5SuperMESH5™

数据手册

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产品型号

STF15N80K5

Pd-PowerDissipation

35 W

Pd-功率耗散

35 W

Qg-GateCharge

32 nC

Qg-栅极电荷

32 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

300 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

300 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

17.6 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1100pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

32nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

375 毫欧 @ 7A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

497-13437

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF254129?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

44 ns

功率-最大值

35W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

14A (Tc)

系列

STF15N80K5

配置

Single

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