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  • 型号: STF13NM60ND
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STF13NM60ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF13NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTF13NM60ND封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STF13NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF13NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FPMOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

11 A

Id-连续漏极电流

11 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF13NM60NDFDmesh™ II

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产品型号

STF13NM60ND

Pd-PowerDissipation

25 W

Pd-功率耗散

25 W

Qg-GateCharge

24.5 nC

Qg-栅极电荷

24.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

380 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

380 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

10 ns

下降时间

15.4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

845pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

24.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

380 毫欧 @ 5.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

497-13865-5

典型关闭延迟时间

9.6 ns

功率-最大值

25W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

380 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

650 V

漏极连续电流

11 A

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Tc)

系列

STF13NM60ND

配置

Single

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