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  • 型号: STF13NK50Z
  • 制造商: STMicroelectronics
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STF13NK50Z产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STF13NK50Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF13NK50Z价格参考。STMicroelectronicsSTF13NK50Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF13NK50Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF13NK50Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STF13NK50Z 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单类器件。其主要应用场景包括:

 1. 开关电源(SMPS)
   - STF13NK50Z 的高电压耐受能力(额定 VDS = 500V)和低导通电阻(RDS(on) = 1.3Ω @ VGS = 10V)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。
   - 常见于 AC-DC 或 DC-DC 转换器中,作为主开关或同步整流元件。

 2. 电机驱动与控制
   - 在中小功率电机驱动系统中,该 MOSFET 可用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。
   - 特别适用于家用电器(如风扇、水泵等)中的电机驱动电路。

 3. 逆变器
   - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,STF13NK50Z 可用于将直流电转换为交流电。
   - 其高击穿电压和良好的热性能有助于提高系统的稳定性和效率。

 4. 负载开关
   - 由于其低导通电阻特性,STF13NK50Z 可以高效地用作负载开关,控制各种设备的电源通断。
   - 应用于消费电子设备、工业设备以及汽车电子系统中的电源管理模块。

 5. 电磁阀和继电器驱动
   - 在工业自动化领域,该 MOSFET 可用于驱动电磁阀或继电器,提供足够的电流和电压支持。
   - 其高可靠性确保了长时间运行的稳定性。

 6. 保护电路
   - 可用于过流保护、短路保护等电路设计中,利用其快速开关特性和低损耗性能来实现高效的保护功能。

 7. 汽车电子
   - 在汽车电子领域,STF13NK50Z 可应用于车灯控制、电动窗、雨刷器等需要高电压切换的应用场景。
   - 其符合 AEC-Q101 标准(如果适用),能够满足汽车级产品的严格要求。

 总结
STF13NK50Z 凭借其高耐压、低导通电阻和出色的开关性能,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、负载开关、电磁阀驱动、保护电路以及汽车电子等领域。它适合需要高可靠性和高效能的中低压功率转换和控制场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FPMOSFET N Ch 600V 0.35 Ohm Zener SuperMESH 10A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

11 A

Id-连续漏极电流

11 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF13NK50ZSuperMESH™

数据手册

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产品型号

STF13NK50Z

Pd-PowerDissipation

30 W

Pd-功率耗散

30 W

Qg-GateCharge

47 nC

Qg-栅极电荷

47 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

480 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

480 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

23 ns

下降时间

24 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1600pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

47nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

480 毫欧 @ 6.5A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

497-7467-5
STF13NK50Z-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF186539?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

61 ns

功率-最大值

30W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Tc)

系列

STF13NK50Z

通道模式

Enhancement

配置

Single

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