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  • 型号: STF12N65M5
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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STF12N65M5产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STF12N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF12N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTF12N65M5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 650V 8.5A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF12N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF12N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220FPMOSFET POWER MOSFET N-CH 650V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

8.5 A

Id-连续漏极电流

8.5 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF12N65M5MDmesh™ V

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产品型号

STF12N65M5

Pd-PowerDissipation

25 W

Pd-功率耗散

25 W

Qg-GateCharge

22 nC

Qg-栅极电荷

22 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

430 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

430 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

9.5 ns

下降时间

24 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

900pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

22nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

430 毫欧 @ 4.3A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=21007

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

497-10569-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF223328?referrer=70071840

功率-最大值

25W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-5 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.5A (Tc)

系列

STF12N65M5

配置

Single

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