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  • 型号: STF110N10F7
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STF110N10F7由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF110N10F7价格参考。STMicroelectronicsSTF110N10F7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STF110N10F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF110N10F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 100V TO-220FPMOSFET N-CH 100V 5.1 mOhm 45A STripFET VII

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

45 A

Id-连续漏极电流

45 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF110N10F7DeepGATE™, STripFET™ VII

数据手册

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产品型号

STF110N10F7

Pd-PowerDissipation

30 W

Pd-功率耗散

30 W

Qg-GateCharge

72 nC

Qg-栅极电荷

72 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4.5 V

上升时间

36 ns

下降时间

21 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5117pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

72nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7 毫欧 @ 22.5A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

497-13946-5
STF110N10F7-ND

典型关闭延迟时间

52 ns

功率-最大值

30W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

7 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

45 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

45A (Tc)

系列

STF110N10F7

配置

Single

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