【STF10NM50N/规格参数】厂家_STF10NM50N中文资料_价格

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型号： STF10NM50N
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STF10NM50N产品简介：

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产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 500V 7.0A TO220FPMOSFET N-Ch 500V 0.53 7A MDmesh II Power MO
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	7 A
Id-连续漏极电流	7 A
品牌	STMicroelectronics
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF10NM50NMDmesh™ II
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产品型号	STF10NM50N
Pd-PowerDissipation	25 W
Pd-功率耗散	25 W
Qg-GateCharge	17 nC
Qg-栅极电荷	17 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	630 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	630 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	500 V
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 25 V
Vgs-栅源极击穿电压	25 V
上升时间	4.4 ns
下降时间	12 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	450pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	17nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	630 毫欧 @ 3.5A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-220FP
其它名称	497-12563-5 STF10NM50N-ND
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF250129?referrer=70071840
典型关闭延迟时间	7.8 ns
功率-最大值	25W
包装	管件
商标	STMicroelectronics
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	630 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3 整包
封装/箱体	TO-220FP-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	500 V
漏极连续电流	7 A
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	7A （Tc）
系列	STF10NM50N
通道模式	Enhancement
配置	Single