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Datasheet下载- 型号： STF10N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STF10N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF10N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTF10N60M2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 7.5A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP。您可以下载STF10N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF10N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的型号STF10N60M2是一种N沟道功率MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其应用场景广泛，主要适用于需要高效开关和低导通电阻的电力电子设备中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：STF10N60M2具有高电压耐受能力（600V），适合用于开关电源中的高频开关元件，例如反激式、正激式或升压/降压转换器等。 2. 电机驱动：可用于小型直流电机或步进电机驱动电路，提供高效的开关控制，支持启动、停止和速度调节等功能。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，作为开关元件将直流电转换为交流电输出。 4. 负载开关：在需要快速切换大电流负载的情况下，该MOSFET可以实现低损耗的开关操作。 5. 电池保护与管理：用于电池管理系统中，控制充电和放电路径，确保电池安全运行。 6. 工业自动化：应用于各种工业控制系统中的继电器替代、电磁阀驱动等场景，提供更可靠和快速的响应。 7. 家电产品：如洗衣机、空调、冰箱等家用电器中的风扇控制、压缩机驱动等部分，利用其高效节能特性提升整体性能。 8. 照明系统：用于LED驱动电路，提供稳定电流以保证灯光亮度一致性，并支持调光功能。 9. 汽车电子：尽管不是车规级器件，但在某些非关键车载应用中也可使用，比如电动车窗、座椅调节等辅助功能模块。 总之，STF10N60M2凭借其出色的电气特性和性价比，在众多需要高压、高效率及良好散热表现的领域都有良好的应用前景。选择具体应用时需根据实际需求考虑工作环境、散热条件等因素进行合理设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V TO-220FPMOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF10N60M2MDmesh™ II Plus |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF10N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 25 W |
| Pd-功率耗散 | 25 W |
| Qg-GateCharge | 13.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 560 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 560 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 13.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-13945-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 32.5 ns |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.5A （Tc） |
| 系列 | STF10N60M2 |
| 配置 | Single |
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