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  • 型号: STD8NM60ND
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STD8NM60ND由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD8NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTD8NM60ND封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STD8NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD8NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 7A DPAKMOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp FDMesh

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7 A

Id-连续漏极电流

7 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD8NM60NDFDmesh™ II

数据手册

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产品型号

STD8NM60ND

Pd-PowerDissipation

70 W

Pd-功率耗散

70 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

590 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

590 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

22 ns

下降时间

22 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

560pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

22nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

700 毫欧 @ 3.5A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

497-8775-1

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF214874?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

37 ns

功率-最大值

70W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

590 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

7.5 S

汲极/源极击穿电压

600 V

漏极连续电流

7 A

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7A (Tc)

系列

STD8NM60ND

通道模式

Enhancement

配置

Single

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